用非平衡磁控溅射法制备CN_x薄膜

用非平衡磁控溅射法制备CN x 薄膜 Preparation of CN x Films Using Unbalanced Magnetron Sputtering Deposition 高鹏 GAO Peng 1 first-author 刘传胜 LIU Chuan sheng 1 吴大维 WU Da wei 1 彭友贵 PENG You gui 1 范湘军 FAN Xiang jun 1 武汉大学物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 武汉大学物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 School of Physics and Technology,Wuhan University School of Physics and Technology,Wuhan University 利用非平衡磁控溅射法 ,用一对石墨溅射靶 ,以N2 ,Ar为工作气体 ,在Si（10 0 ）衬底上溅射生长CNx薄膜 .X光电子能谱分析表明薄膜中的C ,N原子以sp3,sp2 杂化电子轨道成键形成化合物 .氮碳原子比比值为 1.0 6 ,1.2 4,傅里叶红外分析也证明了C—N的存在 .X射线衍射谱显示薄膜中含有 β C3N4 晶粒 .实验证明 ,非平衡磁控溅射法是合成C3N4 薄膜的有效方法 . CN x films were deposited on Si（1 0 0） substrates by UMS（unbalanced magnetron sputtering） system, which utilized graphite as target material, nitrogen as reactive gas, and argon as sputtering gas. The ratios of N/C are 1.06,1.24. XPS and FTIR analysises show the existence of C—N single bond in the films,and XRD peaks mean that β C 3 N 4 existes in the thin films .On the whole, the UMS method is an effective way to prepare the C 3 N 4 thin films. β-C3N4 非平衡磁控溅射 薄膜 C3N4 unbalanced magnetron sputtering thin film O484.1 国家自然科学基金!资助项目 （1 98750 37） 2001-01-01 2021-04-01 1