Tb/Fe成分调制膜的磁结构与平均分子场模型

周正国; 周殿清

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Tb/Fe成分调制膜的磁结构与平均分子场模型

研究简报 | 更新时间：2021-04-02

- Tb/Fe成分调制膜的磁结构与平均分子场模型
- MAGNETIC STRUCTURE OF Tb/Fe COMPOSITIONALLY MODULATED FILMS AND MODEL OF AVERAGE MOLECULAR FIELD
- 武汉大学学报（理学版） 1989年第4期页码：119-121
- 作者机构：
  
  武汉大学物理系
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[1]周正国,周殿清.Tb/Fe成分调制膜的磁结构与平均分子场模型[J].武汉大学学报(自然科学版),1989(04):119-121.

Zhou Zhengguo Zhou Dianqing. MAGNETIC STRUCTURE OF Tb/Fe COMPOSITIONALLY MODULATED FILMS AND MODEL OF AVERAGE MOLECULAR FIELD[J]. 1989,(4):119-121.
[1]周正国,周殿清.Tb/Fe成分调制膜的磁结构与平均分子场模型[J].武汉大学学报(自然科学版),1989(04):119-121. DOI：

Zhou Zhengguo Zhou Dianqing. MAGNETIC STRUCTURE OF Tb/Fe COMPOSITIONALLY MODULATED FILMS AND MODEL OF AVERAGE MOLECULAR FIELD[J]. 1989,(4):119-121. DOI：

摘要

<,正,>, 文[1]研究了Tb/Fe成分调制膜的磁特性,讨论了成分调制膜的周期厚度与磁性质的关系。本文在此基础上,进一步探讨Tb/Fe成分调制膜的磁结构及热处理对磁结构的影响,并用平均分子场模型对结果作初步分析。将用真空电子束蒸发法制备的具有调制结构的样品,置于真空无感电加热装置中,在6.67×10,-5,Pa真空、250℃温度下保温2h后随炉冷却。热处理前后样品的饱和磁化强度用振动样品磁强计测定。为保证样品不被氧化,在制膜的真空条件下蒸镀100nm左右的铝膜。整个膜的周期数为80～20（160～40层）,膜的总厚度为400～200nm左右。

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