中频脉冲磁控溅射制备氮化铝薄膜

中频脉冲磁控溅射制备氮化铝薄膜 Preparation of AlN Films by Middle Frequency Pulsed Magnetron Sputtering 董浩 DONG Hao 1 2 3 first-author 黎明锴 LI Ming-kai 1 2 3 刘传胜 LIU Chuan-sheng 1 2 3 付强 FU Qiang 1 2 3 卢宁 LU Ning 1 2 3 范湘军 FAN Xiang-jun 1 2 3 武汉大学物理科学与技术学院 武汉大学物理科学与技术学院 School of Physics and Technology, Wuhan University School of Physics and Technology, Wuhan University 武汉大学物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 武汉大学物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 湖 湖 使用中频脉冲磁控溅射技术分别在Si（111）、玻璃以及高速钢基底上沉积AlN薄膜.利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜、紫外荧光、FTIR、精密阻抗分析仪等研究了薄膜的结构、光学及电学性质.结果表明,生成的（002）取向的多晶AlN薄膜在可见光区域平均透过率超过75%,在紫外区域也具有较高的透过率,在低频交流区域具有良好的绝缘性. AlN thin films have been successfully prepared on Si （111）, glass and high-speed steel （HSS） substrates by middle frequency magnetron sputtering. XRD,XPS,SEM, UV-fluorescence spectroscope, FTIR and impedance analysis are employed to characterize AlN thin films. The high c-axis-oriented AlN films have higher transmittance in UV-visible light region. The impedance analysis confirmed that the AlN films are good insulators in low frequency ac region. AlN薄膜 中频脉冲磁控溅射 X射线衍射 透光性 AlN thin films middle frequency reactive sputtering X-ray diffrection transmittance O484.1 国家自然科学基金（50175082）;湖北省科技计划资助项目（2002P0102） 2002-03-01 2021-04-01 3