低阻硅材料的快中子辐照

低阻硅材料的快中子辐照 LOW RESISTIVITY SI MATERIAL IRRADIATED BY FAST NEUTRON 李世清 Li Shiqing Zhang Nenli 1 first-author 张能立 1 武汉大学物理学系 武汉大学物理学系 Department of Physics,Wuhaa University Department of Physics,Wuhaa University <正> 半导体材料及器件的特性对粒子辐照非常敏感。实践证明,射线粒子的辐照,会给半导体器件造成损伤,甚至失效。快中子辐照损伤,主要是由于快中子轰击材料时,将能量交给晶格原子,在晶体内形成位移点缺陷或空位团,引起所谓的位移损伤。由于半导体中缺陷的状态影响着材料的许多光学和电学性质,因此,关于中子辐照在半导体材料中形成缺陷的研究对于理论和应用都是重要的。本文研究低阻硅材料的快中子辐照损伤。用正电子湮没寿命谱仪测量辐照前后材料中正电子湮没参数的变化,并对实验结果进行分析和讨论。 <正> 半导体材料及器件的特性对粒子辐照非常敏感。实践证明,射线粒子的辐照,会给半导体器件造成损伤,甚至失效。快中子辐照损伤,主要是由于快中子轰击材料时,将能量交给晶格原子,在晶体内形成位移点缺陷或空位团,引起所谓的位移损伤。由于半导体中缺陷的状态影响着材料的许多光学和电学性质,因此,关于中子辐照在半导体材料中形成缺陷的研究对于理论和应用都是重要的。本文研究低阻硅材料的快中子辐照损伤。用正电子湮没寿命谱仪测量辐照前后材料中正电子湮没参数的变化,并对实验结果进行分析和讨论。 O571.33 1992-02-01 2021-04-01 2