用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷

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用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷

更新时间：2021-04-02

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- 用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷
- Positron Annihilation Study of Defect in Semiconductor Material GaSb
- 武汉大学学报（理学版） 2006年第1期页码：35-39
- 作者机构：
  
  1. 武汉大学物理科学与技术学院
  2. 中国科学院半导体研究所
  3. 四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室,湖北,武汉,430072
  4. ,成都,610065
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目（10375043）;四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室开放课题基金资助项目
- DOI：
  中图分类号： O474
- 纸质出版日期：2006-01-01，
- 稿件说明：
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[1]邵云东,王柱,赵有文,唐方圆.用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷[J].武汉大学学报(理学版),2006(01):35-39.

SHAO YUNDONG~1, WANG ZHU~1, ZHAO YOUWEN~2, et al. Positron Annihilation Study of Defect in Semiconductor Material GaSb. [J]. 2006, (1): 35-39.
[1]邵云东,王柱,赵有文,唐方圆.用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷[J].武汉大学学报(理学版),2006(01):35-39. DOI：

SHAO YUNDONG~1, WANG ZHU~1, ZHAO YOUWEN~2, et al. Positron Annihilation Study of Defect in Semiconductor Material GaSb. [J]. 2006, (1): 35-39. DOI：

摘要

用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品.揭示出原生未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷

具有284 ps左右的寿命值.电子辐照能使这种缺陷的浓度增大

使平均寿命值从辐照前的265 ps增大到辐照后的268 ps.低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷GaSb.掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa

284 ps类型的缺陷.

Abstract

Electron irradiated GaSb samples were investigated by positron lifetime spectroscopy（PAS） and the coincidence Doppler broadening（CDB） technique.PAS measurement indicated that there were monovacancy-type defects in undoped GaSb samples

which were identified to be predominantly Ga vacancy(V

Ga

) related defects by combining the CDB measurements.This type defect has lifetime about 284 ps.Electron irradiation could increase its concentration and thus its average lifetime increased from 264 ps（non-irradiation） to 268 ps（irradiated）.Positron shallow trapping have been observed and should be due to Ga

Sb

defects after annealing at 500 ℃.Experiments of Zn doped and Te doped GaSb samples proved that V

Ga

284 ps

related defects could be induced by electron irradiation.

关键词

GaSb符合多普勒展宽正电子湮没电子辐照缺陷

Keywords

GaSbcoincidence Doppler broadeningpositron annihilationelectron irradiationdefect

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