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氧化法制备ZnO薄膜中缺陷结构的慢正电子束表征
物理学与电子信息学 | 更新时间：2021-04-02
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    • 氧化法制备ZnO薄膜中缺陷结构的慢正电子束表征

    • Defects Study of ZnO Film Prepared by Thermal Oxidation Using a Slow Positron Beam

    • 武汉大学学报（理学版）   2007年第5期 页码：597-600
    • 中图分类号： O472;O484

    • 纸质出版日期：2007-05-01，

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  • [1]陈志权,王栋,张宏俊,戴益群.氧化法制备ZnO薄膜中缺陷结构的慢正电子束表征[J].武汉大学学报(理学版),2007(05):597-600. DOI：

    CHEN ZHIQUAN, WANG DONG, ZHANG HONGJUN, et al. Defects Study of ZnO Film Prepared by Thermal Oxidation Using a Slow Positron Beam. [J]. 2007, (5): 597-600. DOI：

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相关作者

赵有文
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相关机构

中国科学院半导体研究所
日本原子力研究所
天津大学材料科学与工程学院
Chemical and Materials Engineering Department,University of Kentucky
武汉大学物理科学与技术学院
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