次黄嘌呤在铜电极上的伏安特性研究

次黄嘌呤在铜电极上的伏安特性研究 THE VOLTAMMETRIC CHARACTERISTIC OF HYPOXANTHINE ON THE COPPER ELECTRODE 胡胜水 Hu Shengshui 1 first-author 张新萍 Zhang Xinping 1 王政萍 Wang Zhengping 1 武汉大学化学学院 武汉大学化学学院 College of Chemistry, Wuhan University College of Chemistry, Wuhan University 研究了次黄嘌呤（Ｈｘａ）在铜电极上的电化学行为．实验发现，以１．９６×１０－３～４×１０－４ｍｏｌ·Ｌ－１ＮａＯＨ作支持电解质时，在－０．２５～－０．４０Ｖ的电位范围内有一灵敏的阴极峰，它是吸附于铜电极表面的Ｈｘａ与Ｃｕ＋络合物的溶出伏安峰．在选择的实验条件下，峰高与Ｈｘａ的浓度在１．４６×１０－６～２×１０－３ｍｏｌ·Ｌ－１范围内呈良好的线性关系，最低检测限为５．６×１０－８ｍｏｌ·Ｌ－１，可用于痕量的Ｈｘａ的检测． The electrochemical behaviour of Hypoxanthine（Hxa） on the copper electrode has been studied in this article. There is a cathodic peak bertween -0.25 -0.40 V when used 1.96×10 -3 4×10 -4 mol·L -1 NaOH as electrolyte. It’s the cathodic stripping peak of the complex of Hxa and Cu（Ⅰ）. In the selected experimental condition, the peak current is linear with the concentration of Hxa in the range of 1.46×10 -6 2×10 -3 mol·L -1 ,and the limit of detection is 5.6×10 -8 mol·L -1 . The method can be used to detect trace Hxa. 次黄嘌呤 溶出伏安法 伏安特性 铜电极 hypoxanthine stripping voltammetry voltammetric characteristic copper electrode O657.14 国家自然科学基金,湖北省自然科学基金 1998-06-01 2021-04-01 6