离子注入制备Si基GaSb量子点

孟宪权; 肖虎; 朱振华

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

离子注入制备Si基GaSb量子点

研究论文_物理学 | 更新时间：2021-04-02

- 离子注入制备Si基GaSb量子点
- Fabrication of GaSb Quantum Dots on Si Substrate by Ion Implantation
- 武汉大学学报（理学版） 2009年55卷第4期页码：451-454
- 作者机构：
  
  武汉大学物理科学与技术学院
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目（10775106,60676036）
- DOI：
  中图分类号： TN305.3
- 纸质出版日期：2009-04-01，
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]孟宪权,肖虎,朱振华.离子注入制备Si基GaSb量子点[J].武汉大学学报(理学版),2009,55(04):451-454.

MENG XIANQUAN, XIAO HU, ZHU ZHENHUA. Fabrication of GaSb Quantum Dots on Si Substrate by Ion Implantation. [J]. 2009, 55(4): 451-454.
[1]孟宪权,肖虎,朱振华.离子注入制备Si基GaSb量子点[J].武汉大学学报(理学版),2009,55(04):451-454. DOI：

MENG XIANQUAN, XIAO HU, ZHU ZHENHUA. Fabrication of GaSb Quantum Dots on Si Substrate by Ion Implantation. [J]. 2009, 55(4): 451-454. DOI：

摘要

利用离子注入法在Si（001）衬底上先后注入了Ga+和Sb+

注入能量分别为140

220 keV

注入剂量分别为8.2×1016

6.2×1016cm-2

然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了量子点材料.用透射电子显微镜（TEM）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）观察了退火后量子点截面像.实验结果表明

经二次退火生长的量子点晶格结构和Si衬底损伤的修复要明显优于一次退火.

Abstract

Silicon（001） slice was implanted by Ga+ and Sb + at 140 and 220 keV with doses of 8.2×1016 and 6.2×1016 cm-2 respectively.Then the quantum dot material was fabricated with subsequently once annealing and twice annealing treatment.The implanted subsequent annealed samples were observed using a transmission electron microscope（TEM） and a high resolution transmission electron microscope（HRTEM）.The TEM images show that the crystal lattice of the dots and the repairing of the damaged substrate of the samples which experience twice annealing are better than that of the samples which experience the once annealing.

关键词

量子点离子注入透射电子显微镜（TEM）二次退火

Keywords

quantum dotsions implantationtransmission electron microscopy（TEM）twice annealing

references

浏览量

128

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

不同环境下双量子点初态的保真度

Mn离子注入Si材料的结构分析及磁学性质

用Zn/F离子先后注入和热退火法实现ZnO量子点的可控生长

InAs/AlAs/GaAs量子点的光致发光光谱研究

离子注入法制备Si基量子点