氩等离子体处理后复合绝缘子的憎水恢复性

氩等离子体处理后复合绝缘子的憎水恢复性 Hydrophobicity Recovery of Composite Insulators After Ar Plasma Treatment 1 first-author 李子健, 男, 硕士生, 现从事高压绝缘材料老化研究. E-mail: lizijianwhu@163.com 李子健, 男, 硕士生, 现从事高压绝缘材料老化研究. E-mail: lizijianwhu@163.com lizijianwhu@163.com 1 corresp 方鹏飞, E-mail: fangpf@whu.edu.cn 方鹏飞, E-mail: fangpf@whu.edu.cn fangpf@whu.edu.cn 2 2 3 3 武汉大学 物理科学与技术学院, 湖北 武汉 430072 武汉大学 物理科学与技术学院, 湖北 武汉 430072 School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China 武汉大学 电气工程学院, 湖北 武汉 430072 武汉大学 电气工程学院, 湖北 武汉 430072 School of Electrical Engineering, Wuhan University, Wuhan 430072, China School of Electrical Engineering, Wuhan University, Wuhan 430072, China 广东电网公司电力科学研究院, 广东 广州 510080 广东电网公司电力科学研究院, 广东 广州 510080 Guangdong Electric Power Research Institute, Guangdong Power Grid, Guangzhou 510080, China Guangdong Electric Power Research Institute, Guangdong Power Grid, Guangzhou 510080, China 针对复合绝缘子在实际运行中的老化失效问题，本文用氩等离子体模拟电晕放电，对复合绝缘子表面进行加速老化处理，用静态接触角法反映老化后复合绝缘子的憎水性恢复过程.根据小分子硅氧烷扩散模型和Fick第二定律对扩散方程进行推导，并利用指数函数对憎水性恢复过程进行拟合，给出了能量化评估复合绝缘子憎水恢复性快慢的指标——小分子硅氧烷扩散系数 D ，最后利用小分子硅氧烷扩散系数 D 研究温度因素对复合绝缘子憎水恢复性的影响.结果表明，在50 ℃条件下硅橡胶小分子硅氧烷扩散系数 D 是-50 ℃时的10倍. Aiming at the aging failure of composite insulator in the actual operation, Ar plasma which can simulate corona discharge is used to accelerate the aging process of composite insulator, and the recovery process was reflected by static contact angle. The diffusion equation was derived according to low molecular weighted siloxames (LMWs) diffusion model and Fick's second law, then an exponential function was used to fit the recovery process of hydrophobicity, and a LMWs diffusion coefficient D was proposed to evaluate the hydrophobicity recovery rate of composite insulators. Finally, the effect of temperature on hydrophobicity recovery of composite insulator was evaluated using LMWs diffusion coefficient D . The results showed that at 50 ℃, the LMWs diffusion coefficient D of silicone rubber was nearly 10 times than that in the same situation at -50 ℃. 复合绝缘子 氩等离子体 憎水恢复性 小分子硅氧烷 扩散系数 D composite insulators Ar plasma hydrophobicity recovery low molecular weighted siloxanes (LMWs) diffusion coefficient D 引言 1 复合绝缘子由于具有重量轻、机械强度高、运输和维修方便等优点，近十年来在高压输变电领域应用越来越广泛 [ 1 1 ] .然而，复合绝缘子外绝缘伞裙材质为硅橡胶等有机高分子材料，在长期户外运行过程中，易受风吹、日晒、雨淋、覆冰、污秽、电晕放电、闪络等因素的综合影响而发生老化，继而出现表面粉化、发白、开裂、银纹等现象 [ 2 2 ] .老化后的硅橡胶表面憎水性下降或短暂丧失，在潮湿或阴雨天气中，水分在其表面易形成连续水膜，增加了沿面闪络、漏电起痕等现象发生的几率 [ 3 3 ] .因此，研究复合绝缘子表面的憎水性恢复过程阶段能有效监测复合绝缘子的老化程度，预测其使用寿命，降低突发事故风险. 然而，现有的研究大多集中于复合绝缘子憎水恢复性的机理及其影响因素等方面 [ 4 4 , 5 5 ] ，鲜有关于复合绝缘子憎水性恢复速率的研究.如鲁志伟等 [ 4 4 ] 利用二氯甲烷对硅橡胶进行多次循环抽提，发现抽提次数越多，硅橡胶憎水迁移性能越弱，说明硅橡胶的憎水迁移性是小分子硅氧烷由体层向表层扩散引起的.Homma等 [ 5 5 ] 利用气相色谱-质谱联用技术(GC-MS)对抽提得到的小分子硅氧烷物质进行了分析，发现它们主要由分子量相对较小的环状小分子硅氧烷硅氧烷 D n ( n =3，…，12)和直链状小分子硅氧烷硅氧烷组成，而这些小分子硅氧烷一部分来源于硅橡胶炼制过程中生胶、硅油等助剂中未反应完全的小分子硅氧烷硅氧烷 [ 6 6 ] ，另一部分是来源于老化，如电晕放电 [ 7 7 ] 、受热降解 [ 8 8 ] 、 γ 射线辐照 [ 9 9 ] 、等离子体处理 [ 10 10 ] 等过程所产生的小分子硅氧烷.在小分子硅氧烷从体层向表层扩散的过程中，驱动力是表面自由能 [ 11 11 ] ，相对分子质量较小的小分子硅氧烷在扩散过程的前期占主导地位，而相对分子质量较大的小分子硅氧烷在扩散过程的中后期占据主导 [ 9 9 ] .对复合绝缘子憎水性恢复速度进行深入的研究与探讨不仅具有理论研究价值，还对其运维管理有一定的实际指导意义. 从实验设计的角度，研究复合绝缘子憎水恢复性需要先通过物理或化学老化等手段使其表面由强疏水性转变为强亲水性，然而复合绝缘子的自然老化耗时长，效果不明显，所以在实验室一般采用人工加速老化方法，如：高能紫外或真空紫外辐照，电晕放电，高浓度酸碱性溶液浸泡，高压水煮，盐雾实验，5 000 h综合老化试验，等离子体处理等 [ 12 12 ] .其中，等离子体处理具有耗时短、改性效果显著的优点，能使复合绝缘子表面在短时间内丧失憎水性.这是因为等离子体的能量较高，易与其他物质发生物理作用和化学反应 [ 13 13 ] .等离子体被称为是除了固、液、气之外存在的另一种物质形态，是由被剥夺电子后的原子和被电离后的原子产生的包含正负电子的离子化气体组成的一种全部或部分电离的气体状态物质 [ 14 14 ] .等离子体体系内包含诸如电子、离子、活性基团、光子等活性组分和原子、分子、离子亚稳态及激发态，同时正离子和电子、负离子的含量大致相同，整体呈电中性. 复合绝缘子表面经等离子体处理后，由憎水性转变为亲水性，这是由于侧链中呈对称分布的具有疏水性的甲基转变为类似于SiO x 结构的无机致密层 [ 15 15 ] ，Hillborg等 [ 16 16 ] 通过X射线光电子能谱研究发现，经等离子体处理后，复合绝缘子表面Si/C比例增加，C/O比例下降，并且等离子体处理10 s与电晕放电处理0.5 h得到的复合绝缘子表面C/O比例近似相等.因此等离子体处理可以作为一种高效的模拟电晕放电老化的手段.某些活性气体电离产生的等离子体与物质表面相互作用会导致表面出现新的官能团，如氧等离子体会使聚合物表面出现羟基、羧基、羰基等含氧的官能团；氮等离子体则会使聚合物表面生成含氨基的官能团 [ 17 17 ] .考虑到惰性气体等离子体不易与聚合物表面形成化学键，因此本文选取氩气作为等离子体激发气体. 本文通过对复合绝缘子人工加速老化手段的改进和研究，发展了氩等离子体加速老化的有效方法，给出能量化评估复合绝缘子憎水恢复性速率的评价指标小分子硅氧烷扩散系数 D . 实验部分 1 原料及仪器 2 原料：甲基乙烯基硅橡胶生胶(110-3，慈溪市鑫瑞化工有限公司)，白炭黑(HL-150，广州吉必盛科技实业有限公司)，氢氧化铝(H-WF-1，中国铝业山东分公司)，羟基硅油(QLS-203-B/D/V，无锡市全立化工有限公司). 仪器：捏合机(NHZ-5L，佛山市金银河机械设备有限公司)，开炼机(KW-4A，无锡市合丰机械设备厂)，平板硫化机(YX-50T，金坛市常胜橡胶机械厂)，高低温实验箱(B-T-107D，上海柏毅试验设备有限公司). 样品制备 2 取1.0 kg甲基乙烯基硅橡胶生胶，0.25 kg白炭黑，1.0 kg氢氧化铝，以及一定比例的羟基硅油等原料，加入捏合机中进行混合，时间为4.5 h；再将混合料放入开炼机中进行炼制，温度为50 ℃，时间为1 h左右，炼制过程中加入硫化剂；将开炼后的物料放入硫化机的金属模具(320 mm×320 mm×2 mm)中，在170 ℃，15 MPa的条件下进行第一次硫化，时间为165 s；然后，用鼓风烘箱对一次硫化后的样品进行第二次硫化，硫化温度为200 ℃，时间为6 h. 表征测试 2 如 图 1 图 1 所示，等离子体加速老化装置是在工业用等离子体清洗机的基础上进行改装，通过外接机械泵、节流阀、真空计等，能将反应仓内的压强控制在0.1~10 Pa之间.等离子体处理完毕后，将样品放在高低温箱中，温度分别设定为50，25，0，-25，-50 ℃，为方便对比湿度选择为35%.每隔12 h取出样品进行静态接触角测试. 静态接触角测量仪由美国科诺公司生产，型号SL200KB.将样品平放在测量台上，测量其表面静态接触角值.为减小偶然误差和样片表面粗糙度不一致所造成的影响，在同一块样品上选取间隔相等的5块区域进行测试，然后计算平均值来代表该样品的静态接触角. 结果与讨论 1 等离子体处理条件 2 等离子体处理复合绝缘子过程中，选用的工作气体种类，等离子体处理时反应仓内的真空度，放电的功率，以及等离子体放电时长对复合绝缘子憎水恢复性都有显著的影响. 图 2 图 2 为等离子体处理条件对复合绝缘子憎水恢复性的影响.首先，不同气氛处理后复合绝缘子憎水性恢复情况有所不同，从 图 2(a) 图 2(a) 中可以看到氩气等离子体处理后的憎水性恢复速度比氧气等离子处理后的快.这是由于氩气等离子体与复合绝缘子的相互作用主要是物理作用使其化学键发生断裂，其本身并不参与化学键的氧化交联等反应，因而硅橡胶表面经等离子体处理后为相对疏松多孔结构，小分子硅氧烷容易扩散到表面. 图 2(b) 图 2(b) 所示为真空度与复合绝缘子憎水恢复性的关系，在真空度为10 Pa和0.1 Pa的条件下，等离子体处理一段时间后复合绝缘子表面静态接触角仍难以降到0°，这说明真空度过低(10 Pa)或过高(0.1 Pa)会对产生的等离子体的作用效果带来显著不利影响.在真空度为4 Pa条件下, 等离子体处理后, 复合绝缘子的表面静态接触角降为0°, 说明该真空度(4 Pa)较为理想. (a)气氛；(b)真空度；(c)功率；(d)时长 (a)atmosphere; (b) vacuum; (c) power; (d) time 放电功率与复合绝缘子憎水恢复性的关系如 图 2(c) 图 2(c) 所示，功率越小，复合绝缘子憎水性恢复的速度越快，这是由于低功率下产生的等离子体平均能量较小，对样品表面的老化程度较轻，憎水性恢复速度较快；相反，高功率下等离子体的平均能量大，因而憎水性的恢复速度相对较慢.如 图 2(d) 图 2(d) 所示，处理时长对憎水恢复性的影响与放电功率的影响基本类似，处理时间短，等离子体对硅橡胶表面的老化程度较轻，硅橡胶表面无法转变为完全亲水状态，而等离子体处理时间过长，硅橡胶憎水恢复性变缓，相应的测试时间也会延长. 研究憎水恢复性必须在保证等离子体处理结束后复合绝缘子表面的静态接触角变为0°的前提下，尽量缩短憎水恢复性测试所需的时间.因此，等离子体处理过程的实验条件优化如下：反应载气为氩气，进气速率为200 mL/min，反应仓内真空度为4.0 Pa，放电功率为40 W，处理时间为3 min. 复合绝缘子憎水恢复性 2 以50 ℃条件下硅橡胶憎水性恢复情况为例，Ar等离子体处理结束后，硅橡胶表面与水的静态接触角随时间的变化情况如 图 3 图 3 所示，等离子体处理后复合绝缘子憎水恢复性如 图 4 图 4 所示. (a)12 h; (b)24 h; (c)36 h; (d)48 h; (e) 96 h; (f) 108 h; (g)120 h CA_AV: Contact Angle_Average 从 图 4 图 4 可见，等离子体处理结束后，复合绝缘子表面由憎水性(118.1°)转变为亲水性(0°)，并形成无机致密层，在分子内应力的作用下，无机致密层破裂产生裂纹，硅橡胶体内的小分子硅氧烷沿着这些裂纹扩散到表面.在憎水性恢复过程的前期阶段(0~48 h)，硅橡胶主要表现为表面静态接触角迅速上升和局部憎水性不均匀；等离子体处理结束后12 h，硅橡胶表面憎水性就恢复到了处理前的60%，并且静态接触角标准偏差高达5.6°，这可能是无机致密层破裂不均匀，扩散到表面的小分子硅氧烷分布具有局部性所致.在憎水性恢复过程的中期阶段(48~120 h)，硅橡胶表面的静态接触角呈波动性上升，上升趋势减缓，小分子硅氧烷分布逐渐均匀，标准偏差逐渐减小，并在120 h达到表面憎水状态(接触角＞90°).在憎水性恢复过程的后期阶段(120 h以后)，硅橡胶表面静态接触角和标准偏差均在小范围内小幅度波动. 郑峰 [ 14 14 ] 利用慢正电子束对等离子体处理后硅橡胶表面的微观结构进行了研究，发现随着老化深度的加深，硅橡胶表现出三层结构：无机致密层-断链层-体层(如 图 5 图 5 所示).其中无机致密层厚度为几十到几百纳米，这意味着即使没有外部应力，单靠分子热运动产生的内应力就足以使该致密层产生裂纹，这些裂纹的产生为断链层中的小分子硅氧烷从体层向表面扩散提供了通道，加快了复合绝缘子表面憎水性恢复的速度. 扩散方程与扩散系数 D 2 等离子体处理后，复合绝缘子憎水性恢复过程就是小分子硅氧烷从断链层扩散到无机致密层表面的过程，表面的小分子硅氧烷不断增多，复合绝缘子的憎水性不断恢复，最终当表面小分子硅氧烷的浓度达到某一特定值时，扩散过程终止.Kumagai等人 [ 18 18 ] 用Fick第二定律对该过程进行描述： http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459353&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459353&type=small http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459353&type=middle 式中， c 为小分子硅氧烷的浓度(mol/L)， t 是憎水性恢复的时间(s)， D 为扩散系数(m 2 /s)， x 是复合绝缘子表面到内部的距离(m).等离子体处理结束时，复合绝缘子表面憎水性丧失(与水的静态接触角为0°)，此时，无机致密层内不含小分子硅氧烷，即 t =0， c ( x , 0)=0；在复合绝缘子表面，小分子硅氧烷不再往外扩散，浓度梯度为0，即 x =0， http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459435&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459435&type=small http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459435&type=middle ；在无机致密层与断链层的交界处，小分子硅氧烷浓度为某一常数 k ，假设无机致密层厚度为 L .因此，扩散方程的初始条件和边界条件如下： http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459358&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459358&type=small http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459358&type=middle http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459366&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459366&type=small http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459366&type=middle http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459370&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459370&type=small http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459370&type=middle 利用初始条件和边界条件对方程(1)进行求解，得到的解的形式如下： http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459375&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459375&type=small http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459375&type=middle 根据方程(5)可以求得复合绝缘子表面小分子硅氧烷浓度随时间的变化关系： http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459379&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459379&type=small http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459379&type=middle 另外，复合绝缘子表面小分子硅氧烷的浓度可以通过Cassie方程与表面静态接触角联系起来.Cassie方程认为物质表面与水的静态接触角是其表面的极性物质与非极性物质与水共同作用的结果 [ 19 19 ] ，方程形式为 http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459384&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459384&type=small http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459384&type=middle 方程(7)中， θ t 是 t 时刻物质表面与水的静态接触角， f po 是极性物质所占表面总物质的比例， f np 是非极性物质所占表面总物质的比例， θ po 是极性物质与水的静态接触角， θ np 是非极性物质与水的静态接触角.显然， t =0时，等离子体处理刚结束，复合绝缘子表面全为极性物质， f po =1， f np =0，故方程(7)可变形为 http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459389&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459389&type=small http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459389&type=middle 随着时间延长，复合绝缘子憎水性逐渐恢复，理想情况下，当时间趋于无穷大时，复合绝缘子表面最终全被非极性物质占据， f po =0， f np =1，故方程(7)可变形为 http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459393&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459393&type=small http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459393&type=middle 将方程(8)和方程(9)替换方程(7)中的cos θ po 和cos θ np ，得 http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459399&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459399&type=small http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459399&type=middle 由于 f po + f np =1，对方程(10)变形得： http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459406&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459406&type=small http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459406&type=middle 方程(11)中， c m 为当 t 趋于无穷大时，复合绝缘子表面非极性物质的浓度，是一常数， c np 为 t 时刻，复合绝缘子表面非极性物质的浓度，即方程(6)中的 c (0, t ). 将方程(11)和方程(6)代入方程(10)得到复合绝缘子表面静态接触角与时间的关系： http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459411&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459411&type=small http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459411&type=middle 方程(12)中，除cos θ t 和时间 t 外，均为常数，因此，方程(12)可简化成 http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459415&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459415&type=small http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459415&type=middle 方程(13)中， A ， B 均为常数，若取其一阶形式，我们可以利用指数方程 y = y 0 + A 1 exp (- x / t 1 )对方程(13)进行近似替换，最终得到扩散系数 D 的解为： http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459420&type= http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459420&type=small http://html.publish.founderss.cn/rc-pub/api/common/picture?pictureId=4459420&type=middle (14)式中， L 为无机致密层的厚度，取15 nm [ 14 14 ] ， t 1 为特定参数，可通过指数方程与复合绝缘子实际憎水性恢复过程的拟合结果给出，扩散系数 D 的单位为m 2 /s. 对 图 4 图 4 中各点的横、纵坐标进行变换：横坐标的单位由h变换成s，纵坐标对接触角 θ 取余弦值，然后用指数方程 y = y 0 + A 1 exp (- x / t 1 )对各点进行拟合，拟合情况如 图 6 图 6 . 从 图 6 图 6 中可以看出，所有点均分布在指数函数 y = y 0 + A 1 exp (- x / t 1 )附近，拟合度为0.954 42，理论模型与实际结果高度吻合，同时，根据拟合函数提供的参数 t 1 =83 149.56和(14)式计算出该样品的扩散系数 D 为1.10×10 -21 m 2 /s. 温度对硅橡胶憎水恢复性的影响 2 图 7 图 7 所示为不同温度下硅橡胶憎水性的恢复过程及拟合曲线，根据拟合函数提供的参数 t 1 和(14)式计算出各温度下硅橡胶的扩散系数 D 如 表 1 表 1 所示. T /℃ D /m 2 ·s -1 50 1.10×10 -21 25 9.66×10 -22 0 5.74×10 -22 -25 3.27×10 -22 -50 9.67×10 -23 扩散系数 D 反映的是复合绝缘子中的小分子硅氧烷从体层扩散到表层的快慢，扩散系数 D 越大，说明小分子硅氧烷扩散速度越快，复合绝缘子表面憎水性恢复的速度也就越快.从 表 1 表 1 中可以直观看到，温度越高，扩散系数 D 越大，从 图 7 图 7 中也能明显观察到温度越高，硅橡胶表面憎水性恢复的越快，说明硅橡胶表面的憎水恢复性是由小分子硅氧烷扩散引起的，并且温度是影响小分子硅氧烷扩散快慢的重要因素之一，温度越高，小分子硅氧烷扩散越迅速，憎水性恢复速度越快，在50 ℃和-50 ℃下，硅橡胶的扩散系数 D 相差近10倍，这意味着低温下(-50 ℃)硅橡胶要恢复至憎水状态所需要的时间是高温下(50 ℃)所需时间的10倍甚至更久. 结论 1 本文对硅橡胶表面进行Ar等离子体处理，用静态接触角反映其表面憎水性在50, 25, 0, -25, -50 ℃等不同温度下的恢复过程，基于小分子硅氧烷扩散模型和Fick第二定律，对扩散方程进行推导，并用指数方程 y = y 0 + A 1 exp (- x / t 1 )对复合绝缘子表面憎水性的实际恢复情况进行拟合，最终给出了能量化评估复合绝缘子憎水性恢复速率的指标——小分子硅氧烷扩散系数 D .结果表明，理论模型与硅橡胶实际憎水性恢复情况高度吻合，同时温度是影响小分子硅氧烷扩散快慢的重要因素之一，温度越高，硅橡胶憎水性恢复的越快，对比高温和低温状态，硅橡胶的憎水性恢复速度相差近10倍.扩散系数 D 能定量描述复合绝缘子憎水性恢复的快慢，为今后电力系统评价复合绝缘子憎水恢复性提供了量化指标. 参考文献 杨成. 复杂环境下硅橡胶绝缘子老化与闪络现象研究[D]. 天津: 天津大学, 2008. http://d.wanfangdata.com.cn/Thesis/Y1518578 YANG C. Study on Aging and Flashover of Silicone Rubber Insulator in Complex Environment [D]. 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