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电子-核深度虚康普顿散射过程中质子形状涨落
更新时间：2024-05-14
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    • 电子-核深度虚康普顿散射过程中质子形状涨落

    • Proton Shape Fluctuations in Electron-Ion Deeply Virtual Compton Scattering

    • “最新研究报道，科技界在色玻璃凝聚有效场理论框架下，深入探讨了质子形状涨落效应对EIC和LHeC能区电子-核深度虚康普顿散射微分截面的影响。专家通过热点模型引入质子形状涨落效应，改进了偶极子散射振幅，并计算了相关微分截面。结果显示，质子形状涨落在不同动量转移区间内对截面具有显著影响，尤其在电子-核深度虚康普顿散射中，衍射图案波峰和波谷位置的变动为研究质子形状涨落提供了宝贵信号。”
      ”
    • 武汉大学学报（理学版）   2024年 页码：1-7

    • DOI：10.14188/j.1671-8836.2024.0008    

      中图分类号： O571.3

    • 网络出版日期：2024-05-14，

      收稿日期：2024-01-12，

    扫 描 看 全 文

  • 向文昌，曹德文，王彤彤.电子-核深度虚康普顿散射过程中质子形状涨落［J］.武汉大学学报（理学版），XXXX，XX（XX）：1-7. DOI：10.14188/j.1671-8836.2024.0008. DOI：

    XIANG Wenchang，CAO Dewen，WANG Tongtong.Proton Shape Fluctuations in Electron-Ion Deeply Virtual Compton Scattering ［J］.J Wuhan Univ （Nat Sci Ed），XXXX，XX（XX）：1-7. DOI：10.14188/j.1671-8836.2024.0008（Ch）. DOI：

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